“萬能儲存器”來襲！不用再擔心斷電了文件沒保存

大家是否經常會遇到這種情況：電腦突然死機，但重要數據都還沒有儲存？出門在外關鍵時刻想用手機卻發現早已沒電？據浙江在線報道，近日，北京航空航天大學已經成功制備了國內首個80納米“萬能儲存器”的核心器件——國內首個80納米自旋轉移矩-磁隨機存儲器器件（STT-MRAM）。等這項技術應用后，以上這些麻煩事或許都可以迎刃而解了。那麼，這款“萬能儲存器”究竟是何方神聖？他有什麼神奇之處呢？

儲存器及儲存系統是指什麼？

要理解“萬能存儲器”的功能和特點，我們得先了解一些存儲器的常識。我們都知道，存儲器是電子系統的重要組成部分。千龍網介紹，目前絕大多數電子系統採用寄存、主存加硬盤的存儲體系結構。與之相對應的、實現這種存儲體系的技術是靜態隨機存儲器（SRAM）、動態隨機存儲器（DRAM）、閃存（Flash）或硬盤（HDD）。

據千龍網報道，具體來說，在一台電腦中，靜態隨機存儲器對應的是CPU內的存儲器，速度很快，但容量小﹔動態隨機存儲器對應的是電腦主板上的內存條﹔閃存或者硬盤對應的則是電腦裡的固態硬盤或者機械硬盤，其特點與靜態隨機存儲器剛好相反，它速度慢，但容量大。三者比較而言，前兩者屬於易失性存儲器，一旦斷電數據就會丟失，而后者即使斷電數據也不丟失。傳統的存儲方式中，數據需要分級存儲，同樣在使用時也要分級調取。

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“萬能儲存器”（STT-MRAM）：

《北京日報》介紹，自旋轉移矩-磁隨機存儲器（STT-MRAM）是一種接近“萬能存儲器”的新型存儲器解決方案，極具應用潛力。它既具有接近靜態存儲器的納秒級讀寫速度，又具有閃存級別的容量，和類似Flash的數據斷電不丟失存儲特性。STT-MRAM由於其數據以磁狀態存儲，具有天然的抗輻照、高可靠性以及幾乎無限次的讀寫次數，已被一些國家列為最具應用前景的下一代存儲器之一。

據浙江在線報道，北京航空航天大學與中科院微電子所的聯合研發團隊經過科研攻關，在STT-MRAM關鍵工藝技術研究上也實現了重要突破，在國內率先成功制備出直徑為80納米的“萬能存儲器”核心器件，該器件性能良好，相關關鍵參數達到國際領先水平，未來將有望應用於大型數據中心，降低功耗，還可用於各類移動設備，提高待機時間。（張茜）

本文由中國科學院計算機研究所工程師敖琪進行科學性把關。